带有写禁止选择的磁存储器及其写入方法

本发明涉及一种带有写禁止选择的磁存储器及 其写入方法。本发明的每一个磁存储器单元包括如下组成的磁 隧道结(70)：已知为受限制层(71)的磁性层，具有硬磁化；已知 为自由层(73)的磁性层，其磁化可以被翻转；以及设置在自由 层(73)和受限制层(71)之间并且与所述两层接触的绝缘层(72)。 自由层(73)由基于稀土和过渡金属的非晶或纳米晶合金制成， 所述合金的磁有序是亚铁磁性类型。本发明的存储器的选定工 作温度接近于合金的补偿温度。