制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法

引入氧化铝保护层制备稳定的稀土氧化物栅介 电薄膜的方法，在半导体衬底材料上沉积稀土氧化物薄膜作为 高介电栅介质材料，然后原位沉积氧化铝保护层，稀土氧化物 薄膜材料：氧化钇 (Y2O3)，氧化镧 (La2O3)，和镧系的其它氧化物如 Pr2O3、CeO2、 Gd2O3、 Er2O3。