一种具有突触特性的掺杂型铁酸铋忆阻器及其制备方法

本发明属于半导体存储器件技术领域，具体公开了一种具有突触特性的掺杂型铁酸铋忆阻器及其制备方法，该忆阻器依次包括衬底、底电极、功能层和顶电极；所述功能层为掺杂铁酸铋薄膜，所述掺杂铁酸铋薄膜的材料为A位单掺杂、B位单掺杂或A位与B位共掺杂的铁酸铋，A位掺杂元素为稀土金属元素和碱土金属元素中的至少一种，B位掺杂元素为3d过渡金属元素。本发明忆阻器通过对铁酸铋进行掺杂，使得器件具备多种阻态，在脉冲调制下，既可实现稳定的二值存储又可实现电导连续可调特性，能够实现与生物突触相类似的功能，可广泛应用于神经网络领域研究。