用于金属氧化物层或膜沉积的前体

用于MOCVD技术的稀土金属前体具有通式 OCR1 (R2)CH2X的配体，其中R1是H或 烷基，R2是任选被取代的烷基， X选自OR和NR2，其中R是烷 基或被取代的烷基。还描述了生产这种前体的方法以及从这种 前体沉积金属氧化层的方法。