一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法

本发明提供一种制备二元稀土化合物薄膜材料 的方法。利用低能双离子束沉积设备的质量分离功能与荷能离 子沉积特点，以纯度要求不高的稀土氯化物作为I束伯纳斯型 固体离子源的原材料，产生一束同位素纯低能稀土元素离子， 并与II束伯纳斯型气体离子源产生的与之化合的另一同位素 纯低能离子在超高真空生长室内交替沉积生长，通过准确控制 参与生长的同位素纯低能离子的能量、束斑形状、束流剂量和 配比及生长温度，实现了难提纯、高熔点、易氧化及难化合的 二元稀土化合物薄膜的高纯、高效优质生长及低温外延。本发 明可制备的稀土薄膜材料范围广，且生长工艺便于调控和优 化，是一种制备半导体技术领域或其他领域应用的稀土薄膜材 料的经济实用方法。