细晶贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料

本发明公开了属于电容器材料技术领域的一种 细晶贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。该材料包括 固溶体主料Bam (Ti1－ xZrx)O3和A组分、B组分组成的添加剂。其中A 组分为Ba、Ca、Mn等金属氧化物及前驱体；B组分为稀土元 素的氧化物及这些氧化物的前驱体。在还原气氛中在1150～ 1300℃之间进行烧结，晶粒尺寸0.5～3μm，室温介电常数 7600～23300，室温介电损耗小于1％，绝缘电阻率大于 1011Q·cm；采用该介质材料制 成的贱金属内电极多层陶瓷片式电容器，介质层流延厚度小于 10μm，烧结温度在1150～1300℃之间，温度特性满足Y5V 要求，介质层晶粒的平均粒径小于1μm，击穿场强达到 80kV/mm以上。该材料适用于薄层、大容量贱金属内电极多层 陶瓷片式电容器的制造，具有广阔的发展前景。