一种发400nm蓝紫光InGaN芯片用稀土红色发光荧光粉及其制备方法

本发明涉及白光二极管领域，公开了一种发 400nm左右蓝紫光InGaN芯片用稀土红色发光材料及其制备 方法。本发明的稀土红色发光荧光粉的化学组成为： MI5MIII1－x－ y [MVIO4] 4 : xEu3+， yRIII。 MI为碱金属离子 Li+、 Na+、 K+中的一种或几种； MIII为稀土离子 La3+、 Ce3+、 Pr3+、 Sm3+、 Gd3+、 Y3+、 Tb3+、 Dy3+中的一种或两种； MVI为 Mo6+、 W6+中的一种或两种； RIII为 La3+、 Ce3+、 Pr3+、 Sm3+、 Gd3+、 Y3+、 Tb3+、 Bi3+中的一种；x、y为相应掺杂 离子相对MIII离子所占的摩尔百 分比系数，0.0＝x＝1.0，0.0≤y≤0.20。本发明的稀土红色发 光荧光粉采用高温固相法制备。本发明的稀土红色荧光粉在 400nm左右有很强的激发，发光效率高，稳定性好；以618nm 的红光发射为主，红光发射的色纯度很好。