制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法

引入氧化铝保护层制备稳定的稀土氧化物栅介电薄膜的方法，在半导体衬底材料上沉积稀土氧化物薄膜作为高介电栅介质材料，然后原位沉积氧化铝保护层，稀土氧化物薄膜材料：氧化钇(Y2O3)，氧化镧(La2O3)，和镧系的其他氧化物如Pr2O3、CeO2、Gd2O3、Er2O3。