一种稀土掺杂硫系卤化物玻璃材料

本发明涉及一种稀土掺杂硫系卤化物玻璃材料，即三价稀土离子掺杂Ge－Ga－Se－MX(M＝K，Rb，Cs；X＝Cl，Br，I)硫系卤化物玻璃。其特征在于玻璃的组成为：(100－x－y－z)Ge－xGa－ySe－zMX，其中，5≤x≤30，45≤y≤65，2≤z≤20；掺杂离子为Dy3+或Sm3+。本发明合成的玻璃的转变温度Tg介于280～350℃之间；玻璃初始析晶温度Tx与Tg的差值超过100℃，玻璃态稳定性好，易于拉制光纤；稀土离子发射能级寿命长，发射截面大，使用此稀土掺杂玻璃预制棒拉制的光纤可应用于光纤放大器。