一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法

本发明公开了一种高精度半导体用3D打印式负性光刻胶的制备方法，采用稀土物质、硅源、可溶性镁盐、可溶性铝盐等，通过高温水热反应制得改性硅酸镁铝；然后将其参与丙烯酸酯单体、交联单体的聚合反应，制得改性丙烯酸树脂低聚物；再利用改性硅酸镁铝制备改性硫醇溶液；最后将改性丙烯酸树脂低聚物、改性硫醇溶液、光引发剂及其它助剂混合分散均匀，即可。本发明制得的光刻胶属于非化学放大类，其在193nm深紫外光源下迅速聚合，感光性能强，灵敏度好，分辨率达到0.09～0.11μm，光刻综合性能达到国际最先进水平，应用前景极为光明。