提高稀土离子掺杂浓度的钨酸钡单晶制备工艺

提高稀土离子掺杂浓度的钨酸钡单晶制备工艺属于单晶生长领域。目前稀土离子在钨酸钡中掺杂浓度很低，无法做成有实用价值的激光晶体。本发明的钨酸钡单晶制备工艺，包括以下步骤：在纯度≥99.99％的钨酸钡BaWO4粉末中，加入占最后产物的摩尔百分比为0.1～5％的K2WO4粉末和摩尔百分比为0.1～10％的稀土氧化物粉末；按上述比例准确称量原料，混匀后放入坩埚，在炉中加热至熔点1475℃～1495℃，从坩埚顶部放入籽晶于熔体中，提拉、旋转，等径生长钨酸钡单晶。本发明可获得高光学质量的大尺寸单晶。同样条件下，采用本发明后稀土离子吸收系数比未掺K+时提高一倍以上；改善了发光性能，提高了效率，增大了激光的输出功率；晶体的上转换发光性能增强。