电子半导体元件及其制备方法

本发明是关于一种电子装置及其制备方法该电子装置于一第一电极与一第二电极之间包括至少一第一电洞传输层其中该第一电洞传输层包括：()至少一第一电洞传输基质化合物其由共价键结的原子所组成；以及()选自金属盐及选自电中性金属错合物之至少一电性-掺杂物该至少一电性-掺杂物包括一金属阳离子与至少一个阴离子及/或至少一个阴离子配位基该阴离子配位基是由至少四个共价键结的原子所组成其中该电性-掺杂物的金属阳离子是选自：碱金属；碱土金属、、、、、、、；氧化态()或()的稀土金属；、、；及选自氧化态()或更低的、、、、、、、、与；前提是排除：)包括具有一般式()或()的阴离子配位基或阴离子之-掺杂物其中1、2、3和4独立地选自、2或1；1=吸电子基团该吸电子基团选自包含卤化物、腈、卤化或全卤化的1至20烷基、卤化或全卤化的6至20芳基、或具有5至20个成环原子的卤化或全卤化的杂芳基之群组；1、2、3和4相同或独立地选自取代或未取代的1至20烷基、取代或未取代的1至20杂烷基、取代或未取代的6至20芳基、取代或未取代的5至20杂芳基或是1和2形成一个环；)由一个二价或三价金属阳离子和羧酸根阴离子组成的-掺杂物以及)由阳离子和选自过氯酸盐和四氟硼酸盐的阴离子所组成的-掺杂物。