用於沉积金属氧化物层或薄膜的先质

本发明系提供一种用於金属有机化学气相沉积法(MOCVD)之稀土金属先质，其具有通式为OCR1(R2)CH2X的配位体，其中R1为H或烷基，R2为一选择性可经取代的烷基，X选自OR及NR2，其中R为烷基或一可经取代的烷基。本发明亦关制造此等先质的方法及利用此等先质沉积金属氧化层或薄膜的方法。