用于RF滤波器应用的外延AlN/稀土氧化物结构

本发明提出了一种层型结构(1100，1030)，其包含外延生长在金属层之上的结晶压电III‑N层(1110，1032)，所述金属层外延生长在半导体(1102，1002)上的稀土氧化物层之上。所述稀土氧化物层包括至少两个分立部分(1104，1004)，并且所述金属层包括至少一个金属部分(1108，1006)，所述金属部分与邻近的分立部分部分交叠，优选地在气隙(1008)上形成桥，所述层型结构特别适合用于RF滤波器。