一种卤素自掺杂卤氧化铋半导体纳米发光材料

本发明公开了一种卤素自掺杂卤氧化铋半导体纳米发光材料，该材料利用卤素离子自掺杂增强稀土离子的发光效率，其化学式为Bi1‑xRexOMy，其中x=0.0025~0.1，y=1.2~4，Re=Tb、Ce、Nd、Dy、Sm、Pr、Lu、Eu、Tm、Yb、Gd、Ho、Er、La中的一种或者任意几种，M=Cl、Br、I中的一种；该材料通过卤素离子在卤氧化铋纳米半导体中的自掺杂行为，提高了其二维原子层的层间内电场，增强稀土离子的发光效率；本发明材料的制备方法成本低廉、工艺简单、条件温和、能耗低，不需要复杂设备，具有工业和市场应用推广前景。