一种提高R-T-B磁体扩散性能的晶界扩散方法

本发明公开了一种提高R‑T‑B磁体扩散性能的晶界扩散方法：在R‑T‑B磁体基体表面覆盖扩散源，所述扩散源为重稀土，扩散源的质量为磁体基体质量的0.2％～4％；将覆盖有扩散源的磁体进行晶界扩散处理，扩散温度在800℃～1000℃，扩散时间1h～48h，在扩散的前1～3h内，调节绝对真空度在1.0*10‑3～4.6*10‑3Pa之间的高真空；之后将绝对真空度调节为3.6kpa与7.6kpa之间的低真空，晶界扩散后，冷却至室温再升温进行回火处理，制得晶界扩散后的R‑T‑B磁体。本发明可以提高磁体的Hcj且减少剩磁降低量。