金属氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管、制备方法及装置

本发明公开了一种金属氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管、制备方法及装置，属于平板显示领域。所述金属氧化物半导体薄膜的成分为金属氧化物；所述金属氧化物包括第一金属元素、第二金属元素和第三金属元素；所述第一金属元素为钪元素、钇元素、稀土元素、铝元素和铟元素中的至少一者；所述第二金属元素为钙元素、锶元素和钡元素中的至少一者；所述第三金属元素为钛元素和锡元素中的至少一者。本发明能够提高薄膜晶体管的迁移率。