一种晶界可调控的钕铁硼磁体制备方法

本发明涉及一种晶界可调控的钕铁硼磁体制备方法，通过晶界的调控控制钕铁硼磁体性能，扩散源与钕铁硼磁体形成钕铁硼磁体中间体，钕铁硼磁体中间体的化学成分按照质量百分比表示为[R1xR2yR31‑x‑y]aMbBcFe100‑a‑b，其中0.8≤x≤1，0≤y≤0.08，32≤a≤38，0.5≤b≤7，0.9≤c≤1.2，R1是指Nd、Pr、Ce中的一种或多种，R2是指La、Sm中的一种或多种，R3是指Tb、Dy、Ho中的一种或多种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Nb、Mo、Sn中的多种组，然后将钕铁硼磁体中间体装炉，进行高温、时效处理，本发明的无重稀土矫顽力性能可高于25 kOe，含重稀土磁体经处理后矫顽力性能可高于29kOe。