低重稀土磁体及制造方法

本发明涉及钕铁硼磁体技术领域，尤其涉及一种低重稀土磁体及制造方法。低重稀土磁体由钕铁硼磁体主体合金和低重稀土扩散源制备而成，低重稀土扩散源化学式为RxHyM1‑x‑y，其中R是指Nd，Pr，Ce，La，Ho，Gd中的至少一种，H是指Tb，Dy中的至少一种，M是指Al、Cu、Ga、Ti、Co、Mg、Zn、Sn中至少一种，所述低重稀土扩散源结构分布为RH相、RHM相镶嵌均匀分布。在钕铁硼磁体主体合金表面涂覆所述低重稀土扩散源，并进行扩散和回火处理，得到低重稀土磁体，磁体晶界结构包括主相、R壳层、过渡金属壳层和三角区，本发明的有益之处是通过对磁体成分和低重扩散源结构的调控，实现矫顽力的大幅提升。