一种大功率陶瓷芯片电阻及其材料和制备

本发明涉及一种大功率陶瓷芯片电阻、电阻材料及其制备。所述陶瓷电阻材料的化学通式为(ZnO)x(MgZnO)1‑x(ZnAl2O4)y(MO)w，其中0.5≤x≤1，0＜y≤0.5，M为稀土元素的一种或多种，0≤w≤0.05。所述大功率陶瓷芯片电阻包括瓷体和设于瓷体两表面的电极，所述瓷体采用所述陶瓷电阻材料。所述陶瓷芯片电阻的制备方法包括如下步骤：按配方制备原料粉料，然后在烧结温度1200～1400℃下保温2～15小时将原料粉料烧结成锭子，再进行切片、印刷电极、烧结电极、划切，得到成品。本发明的陶瓷芯片电阻能够满足在大电流、高电压等高能量密度的条件下的使用要求，而且制备工艺简单。