在半导体衬底上的稀土金属表面活化等离子体掺杂

本发明涉及在半导体衬底上的稀土金属表面活化等离子体掺杂。本发明提供了使用沉积含稀土金属膜(例如含钇膜)来掺杂半导体衬底的方法和退火技术。使用气体、液体或固体前体在没有偏置的情况下沉积含稀土金属的膜，并且可以保形地沉积。一些实施方式可以涉及使用等离子体的沉积。衬底可在小于约500℃的温度下退火。