一种背底损耗优化的掺稀土光纤及其制备方法

本发明提供一种背底损耗优化的掺稀土光纤，包括由内至外依次排列的芯层、过渡包层和纯硅包层，芯层和过渡包层均为多元掺杂的二氧化硅层；芯层中的掺杂材料包括铝、镱、磷、以及一种或多种碱金属元素；碱金属元素的掺杂浓度按其氧化物形式计算，则芯层中掺杂的碱金属氧化物平均浓度为50ppm～1000ppm；过渡包层中的掺杂材料包括氟、磷、以及一种或多种碱金属元素；碱金属元素的掺杂浓度按其氧化物形式计算，则过渡包层中掺杂的碱金属元素平均浓度为500ppm～300ppm；其中，芯层与过渡包层中所掺杂的碱金属元素相同。本发明通过碱金属的掺杂使芯层和过渡包层能形成良好的粘度匹配，减少光纤制备中的缺陷和应力损耗，进一步优化掺稀土光纤的背底损耗。