具有化学障壁之基板上磊晶成长之结构

一種結構可包括基板層、稀土金屬氧化物障壁層以及第三族層，基板層具有介面且介面具有載子濃度，稀土金屬氧化物障壁層成長於基板層之上，而第三族層成長於稀土金屬氧化物障壁層之上。介面中的載子濃度數量級大於塊材載子濃度數量級而彼此不同。稀土金屬氧化物障壁層可包括稀土金屬氧化物材料，並可防止第三族成分擴散至基板層。第三族層可包括第三族元素