一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法

本发明提供一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法，包括选择合适的基础钕铁硼并将基础钕铁硼磁体切成厚度小于8mm的薄片，得到钕铁硼薄片；将钕铁硼薄片浸泡在盐酸溶液或硝酸溶液中5～20min后再于120～140℃环境中干燥20～120min；利用蒸镀法在干燥后的钕铁硼薄片表面附上一层重稀土金属；将表面蒸镀有重稀土金属的钕铁硼薄片先在750～790℃条件下真空渗透1～2h，然后再于951～1000℃条件下继续真空渗透处理2～4h；将真空渗透后的钕铁硼薄片在500～600℃条件下进行真空时效后再于400～450℃条件下进行真空时效，得目标产物。本发明制备方法在能提高磁体矫顽力的同时对剩磁影响小。