一种氮化硅陶瓷及其制备方法

本发明采取了一种有别于传统配方的，添加三种不同稀土原料的制备方法成功烧结出接近理论密度的致密氮化硅材料，在此基础上不但降低了烧结温度，产品物理性能还有提高。配料包括：Al2O3：4％‑7％，Y2O3：0.8％‑1％，CeO2：0.3％‑0.5％，Sm2O3：0.4％‑0.5％，Si3N4陶瓷粉：91％‑94％。本发明还提供了利用该配方制备氮化硅产品的方法，制得的产品能在750℃‑900℃环境下长期使用。