一种CMP设备承载台表面的处理方法

本发明提供了一种CMP设备承载台表面的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)配制氧化液，所述氧化液由硼酸、硫酸、醋酸、铬酸、氯化铵、二氧化硅磨料和丙三醇组成；(B)将CMP设备承载台面板采用稀土盐溶液进行前驱处理，所述稀土盐溶液中包括Ce(NO3)350‑70g/L，Nd(NO3)340‑60g/L，Ni(NO3)375‑95g/和Y(NO3)315‑45g/L；(C)将经过上述前驱处理的面板采用所述氧化液进行阳极氧化处理20‑60min，电流密度控制在1‑3A/dm2，处理温度为30‑40℃。通过采用本发明实施例的处理方法对CMP设备承载台表面处理后，在承载台表面形成氧化膜，并且该氧化膜经过了特殊的前驱处理过程中表现出了更优异的力学性能，电化学性能以及耐腐蚀性能，这样不同尺寸研磨颗粒的腐蚀性溶剂流经承载台表面时，不会对承载台表面有任何损害，通过采用本发明特殊的处理方法，提升了承载台本身的抗腐蚀性、耐溶剂性以及热稳定性。