氧氮化物半导体薄膜

本发明的目的是通过氧氮化物结晶质薄膜提供一种具有相对高的载流子迁移率并且适合作为TFT的沟道层材料的氧化物半导体薄膜。本发明对含有In、O以及N的非晶质的氧氮化物半导体薄膜或者含有In、O、N以及添加元素M(M是从Zn、Ga、Ti、Si、Ge、Sn、W、Mg、Al、Y以及稀土类元素中选出的一种以上的元素)的非晶质的氧氮化物半导体薄膜进行加热温度为200℃以上、加热时间为1分钟～120分钟的退火处理，由此，得到结晶质的氧氮化物半导体薄膜。